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南京德茂賽恩科技有限公司
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X射線光電子能譜儀
X-Ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)
利用掃描聚焦X射線入射固體樣品表面并采集從樣品表面產(chǎn)生的光電子,從而提供樣品表面從微區(qū)(≤7.5μm)到大面積(毫米級)的元素成分和化學態(tài)信息,光電子來自表面10nm以內(nèi),僅帶出表面的化學信息,具有分析區(qū)域小、分析深度淺和不破壞樣品的特點。XPS作為一種重要的表面分析技術,廣泛應用于金屬、無機材料、催化劑、聚合物、涂層材料礦石、光伏材料、電池材料、催化材料等研究領域,用來表征表面成分,化學態(tài),能級結構、薄膜深度分析等,尤其是對能源材料/器件領域中的新材料研發(fā)、界面調(diào)控研究、構效關系研究等起到重要的作用,有助于提高材料/器件的性能和穩(wěn)定性研究的水平,以及腐蝕、摩擦、潤滑、粘接、催化、包覆、氧化等過程的研究,滿足從研發(fā)到失效分析的廣泛分析需求。
描述
儀器型號:PHI VersaProbe4
儀器能力

檢測信息檢測能力
常規(guī)表面定性定量分析

定性定量分析固體樣品表面的主要成分;

信息深度:<10nm

分析固體樣品表面除氫和氦以外所有元素組成 ;

(Li~U)

分析特征/特定元素對應的化學態(tài)(價態(tài)和化學鍵接);

能量分辨:≤0.5eV

定量分析所測得的元素和化學態(tài)的相對含量(原子百分比);

檢出限:0.1% 

微區(qū)分析,通過收集樣品表面激發(fā)出來的二次電子得到SXI影像,與分析源同光路可保證精準定位,掃描式小束斑X射線可分析<7.5um區(qū)域內(nèi)的元素組成信息

X ray:≤7.5um

多點分析,可同時對樣品表面多個區(qū)域進行分析

——
Mapping分析/Line分析

表征不同元素和化學態(tài)在分析區(qū)域的分布情況,從而判定成分分布的均勻性以及特定區(qū)域的成分組成等;

空間分辨:≤10μm

深度分析

深度剖析表征不同成分(元素和化學態(tài))從表面到深度的縱向分布,可評價擴散、吸附、鈍化的程度以及表征多層膜層結構等

多種離子槍配置,滿足不同材料的深度分析需求(無機材料——單原子Ar槍/有機材料——Ar團簇離子槍(GCIB)/陶瓷和玻璃材料等——C60團簇離子槍)

深度分辨:納米尺度

特殊分析能力

大面積拼接成像分析,分析區(qū)域可達毫米級

——

樣品臺原位加熱與冷卻

低溫可達-140°C,高溫可達600°C

雙陽極X射線分析,可避免Ni/Mn/Co等元素與其俄歇譜峰的干擾

——

AES配件,可用于樣品表面微區(qū)分析

空間分辨率:<100nm

惰性氣氛轉移裝置,可保護電池、鈣鈦礦等樣品避免空氣和水分的影響;

——



檢測信息檢測能力
常規(guī)表面定性定量分析

定性定量分析固體樣品表面的主要成分;

信息深度:<10nm

分析固體樣品表面除氫和氦以外所有元素組成 ;

(Li~U)

分析特征/特定元素對應的化學態(tài)(價態(tài)和化學鍵接);

能量分辨:≤0.5eV

定量分析所測得的元素和化學態(tài)的相對含量(原子百分比);

檢出限:0.1% 

微區(qū)分析,通過收集樣品表面激發(fā)出來的二次電子得到SXI影像,與分析源同光路可保證精準定位,掃描式小束斑X射線可分析<7.5um區(qū)域內(nèi)的元素組成信息

X ray:≤7.5um

多點分析,可同時對樣品表面多個區(qū)域進行分析

——
Mapping分析/Line分析

表征不同元素和化學態(tài)在分析區(qū)域的分布情況,從而判定成分分布的均勻性以及特定區(qū)域的成分組成等;

空間分辨:≤10μm

深度分析

*深度剖析表征不同成分(元素和化學態(tài))從表面到深度的縱向分布,可評價擴散、吸附、鈍化的程度以及表征多層膜層結構等

*多種離子槍配置,滿足不同材料的深度分析需求(無機材料——單原子Ar槍/有機材料——Ar團簇離子槍(GCIB)/陶瓷和玻璃材料等——C60團簇離子槍)

深度分辨:納米尺度

特殊分析能力

大面積拼接成像分析,分析區(qū)域可達毫米級

——

樣品臺原位加熱與冷卻

低溫可達-140°C,高溫可達600°C

雙陽極X射線分析,可避免Ni/Mn/Co等元素與其俄歇譜峰的干擾

——

AES配件,可用于樣品表面微區(qū)分析

空間分辨率:<100nm

惰性氣氛轉移裝置,可保護電池、鈣鈦礦等樣品避免空氣和水分的影響;

——


紫外光電子能譜
Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy(UPS)
以紫外線為激發(fā)光源的光電子能譜。紫外光電子能譜通過測量價層電子的能量分布從中獲得有關價電子結構的各種信息,包括材料的價帶譜、功函數(shù)、HOMO位置等,主要應用于催化、太陽能電池、半導體材料與器件等領域。
描述

檢測信息檢測能力
常規(guī)表面分析材料表面的價帶譜,功函數(shù)、HOMO位置等(可清潔表面)——
冷熱UPS不同溫度點下的樣品表面,價帶譜,功函數(shù)、HOMO位置等低溫可達-140°C,高溫可達600°C
儀器能力
低能反光電子能譜
Low Energy Inverse Photoemission Spectroscopy(LEIPS)
主要用來得到導體或者半導體樣品表面的導帶譜、LUMO位置和電子親和勢等,通常與UPS譜圖相結合,可以得到帶隙等信息。低能電子可有效避免對有機樣品的損傷。
描述
儀器能力

檢測信息檢測能力
常規(guī)表面分析材料表面的導帶譜,電子親和勢、LUMO位置等(可清潔表面)——